[ ] DDD 型行幅电路的工作原理与维修

谷幻想

论坛上时常看到很多行幅问题的提问，看来部分朋友对行幅电路的工作原理还不太了解，今天就简单的说一下，希望对大家有所帮助。

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" z7 f' T% e% i! C# C 下图就是最常见的行输出电路简图，现在90%的显示器和几乎全部彩电都采用这套方案，只有部分高端彩显采用了高压分离电路，行幅控制就完全不同，这里不作讲解。

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图中的行输出电路的明显特点就是有两个阻尼管D1和D2、两个逆程电容C1和C2、还有两只S校正电容CS和C3，这就是所谓的双阻尼电路，英文称之为Dual Damp Diode （双阻尼二极管），简称DDD型行输出电路，由飞利浦philips 公司发明。其中FBT就是高压包，Q1是行管，C1是上逆程电容，C2是下逆程电容，D1是上阻尼二极管，D2是下阻尼二极管，H-DY是行偏转线圈，CS是上S校正电容，L1是枕校调制线圈，C3是下S校正电容，Q2是行幅调整管。
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2 l% b6 m) @% H  o7 j. d5 z 这套双阻尼电路还包含了两个谐振频率相同的逆程谐振回路，回路1是H-DY、C1和CS；回路2是L1、C2和C3。一个线圈和一个电容就是一套谐振回路，大家应该先理解到这点。

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1 W$ }0 g2 h/ q% i$ p 行幅管Q2相当于一只可变电阻，现在先不考虑它对于主电路的影响，即先开路Q2。电源电压B+被S校正电容CS和C3分压并储能，因为容量上CS小于C3，所以在分压比例上，CS上的电压V-CS要大于C3上的电压V-C3。（容量越大，分压越小）并且V-CS上的能量要大于V-C3上的能量。在行扫描正程期间，行管Q1导通，因为V-CS上的电压是上正下负，所以D1反偏截止，则偏转电流的通路从CS的上端到H-DY到行管Q1到地再D2再到CS的下端，完成一次行扫描过程，可以看出，行偏转电流的能量提供者实际上是S校正电容。而在行逆程期间，行管Q1截止，于是上述的逆程回路谐振，形成行逆程脉冲，并通过高压包的初级放电，高压包次级就产生各种电压。再说点题外的，由于行管Q1的周期性导通，高压包初级的电流周期性产生，于是在高压包次级也会感应出另一种电压，这就是行扫描正程电压，这个电压相对于逆程电压来说，能量一样，但幅度小8到10倍，于是供应电流就大8到10倍。



那么行幅控制的是如何运作的呢？上面说过了，偏转电流是经过下阻尼管D2来完成回路的，而同时下S校正电容C3上是有电压的，这个电压极性是上正下负，并且并联于下阻尼管D2上，使得下阻尼管D2反偏，其结果是减少了通过D2的电流，也就是减少了行偏转电流，行偏转电流的减少就是行幅的减少；另一方面，由于L1和C3的谐振，使得C3上的电压增加，更加促使流经D2的电流减少，行幅进一步减少。这一过程其实就是通过调制下阻尼二极管D2上的电流，来达到控制行幅的目的，因此这个电路也称为二极管调制型行输出电路，下S校正电容C3上的电压就是阻尼中点电压。
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  ~; G1 H% r9 v8 I6 a6 \5 ~$ p* g 说到这里，行幅电路就比较简单了，行幅管Q2的作用就是控制C3上的电压，使其减少行偏转电流的控制量达到我们的需要。另外，如果加上Q2上的控制电压不只是直流电平，而是按场抛物波的规律变化，那么在场扫描的上下端，场抛物波状的行偏转电流变化，将使图像的上下端被收缩，完好枕形校正过程。


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- I2 w, }, W  [0 p 以上关于行幅控制电路的工作原理，如果大家充分理解了，那么维修行幅电路就不是什么难事了。比如当下阻尼管D2短路或漏电，而D2上的电流不会受控，于是行幅也不受控；同理，并联于D2上的下逆程电容C2及行幅管Q2短路或漏电，也会使行幅不受控；由于需要靠C3和L1的谐振，才能使C3上的电压达到较高的电平，因此如果此谐振回路被破坏，如L1电感量或C3电容量不足，那么在C3上形成的电压就不足够或根本没有电压，行幅同样不受控。

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我们在接到一台行幅过大失控的故障机时，首先要做的是开路行幅管，排除它对主电路的影响，如果阻尼中点电压恢复到正常水平（一般为30-50V），那么故障就在行幅管及其控制支路上；如果还未恢复，故障就在主电路本身，应查下阻尼管D2、下逆程电容C2、下S校正电容C3及谐振电感L1，直到中点电压建立起来。而在实际的电路中，为了配合不同的行频，上S校正电容CS的容量需要是可变的，行频越低则CS容量越大，以维持总的行扫描功率不变，这就是S校正切换电路，通常由场效应管充当切换开关，因此切换电路的异常是会影响到阻尼中点电压的，这点在检查所有基本元件无果时，是需要进一步检查的。
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最后说一些行幅失调的特殊个案，都是阻尼中点电压不足所致。
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1、一台三星samsung 793MB，行幅大可以小范围调整，但总调不小，开路行幅管，阻尼中点电压只有12V。经查竟然是下逆程电容C2被人更换为0.27uF，而原容量为5600PF，容量增大近50倍，结果是下S校正电容和枕校线圈无法正常谐振，（能量被大容量下逆程电容短路），于是中点电压不足，无法阻止下阻尼管的偏转电流，行幅就过大。
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2、一台方正FZ-770KD，行幅大且完全不可调，开路行幅管，阻尼中点电压只有1V。经查该机的阻尼中点有二极管和电容反馈到行管B极，该二极管漏电造成阻尼中点电压被短路到地，行幅过大失控。

3、一台美格786FT，行幅大且不可调，开路行幅管，阻尼中点电压只有6V。经查发现一只S校正管的G-S击穿，G极外接隔离二极管击穿，阻尼中点电压被此二极管分流，行幅失控。

/ z7 A) a" y6 m4、一台三星samsung 743，行幅大可以小范围调整，但总调不小，开路行幅管，阻尼中点电压也是12V。经查竟然是枕校线圈的磁芯掉了，使线圈几乎没有了电感量，于是谐振无法产生，中点电压不足，行幅过大。

5、一台飞利浦philips 107T，行幅大且不可调，开路行幅管，阻尼中点电压不足4V。经查是3.3uF的下S校正电容失容，于量谐振无法产生，中点电压不足，行幅过大。
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1 }% C, ?2 I4 G5 ?: f 以上所说，部分涉及到基础理论，可能有点难懂，大家仔细研究一下，有收获的就多顶几下吧。。。。。。

蜕变

认真看了，对DDD又有了更深的认识，谢谢liangshun师傅。您真应该写本书。