ta_mind | 开心
2019-12-12 22:10 |
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classn_01: 1177 classn_02 [LV.10]以坛为家III
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十条黄金规则汇总
2 E; V& U |! X* `9 g' N' Z( g* X 规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧ IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的低温度考虑。 ( y0 z7 Q, p, N* D5 a1 D- h
规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时 间，使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下必须满足上述条件。 * n) a6 D2 E; u' _
规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。
* Y" ]. j2 u: V+ j 规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至低。返回线直接连至 MT1（或阴极）。若 用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容 和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。, f/ j6 o% c, v0 N' h4 {* O
规则5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。 若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。 另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。
: h s" S# w5 Q- `: @6 m 规则6. 假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下 列措施之一： 负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt； 用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。 + T% l1 v/ B- e3 H' h3 ^- K
规则7. 选用好的门极触发电路，避开 3+象限工况，可以大限度提高双向可控硅的 dIT/dt承受能力。) Q7 p6 T- H) |; J+ p
规则8. 若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上好串联一个几μH 的无铁芯电感 或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
?6 @* e; ~- z# q 规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把 铆钉芯轴放在器件接口片一侧。 % j) Z9 X' L) H4 E% M" j( A
规则10. 为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a足够低，维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的 高环境温度。9 o# B: \8 ~+ @ e1 `3 D: G8 G
晶闸管和双向可控硅应用10条黄金准则.rar
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发表于 2012-5-24 10:04:28
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