ta_mind | 开心 2019-12-12 22:10 |
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classn_01: 1177 classn_02 [LV.10]以坛为家III
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十条黄金规则汇总 5 g' N, d9 v: Q1 B Q6 e; Y4 \: C! F
规则1. 为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧ IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的低温度考虑。 + E# Q- d# o: U5 Y( Q( ]# y
规则2. 要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须<IH, 并维持足够长的时 间,使能回复至截止状态。在可能的高运行温度下必须满足上述条件。 . `9 b1 C4 q" N' n3 I6 k
规则3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。 : v( q1 [( p: o/ [$ I% {6 A
规则4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至低。返回线直接连至 MT1(或阴极)。若 用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容 和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。, I: l8 p, n% i7 |2 h& D' e6 f
规则5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。 若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。 另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。 8 j0 I5 Q' s, q9 H. F) Y
规则6. 假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下 列措施之一: 负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt; 用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。 + w# A( g/ o$ f
规则7. 选用好的门极触发电路,避开 3+象限工况,可以大限度提高双向可控硅的 dIT/dt承受能力。% Y" n& p8 _: Y1 @
规则8. 若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上好串联一个几μH 的无铁芯电感 或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。% b& i; j4 a& R
规则9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把 铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
) B! E d7 W5 h$ i 规则10. 为了长期可靠工作,应保证 Rth j-a足够低,维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的 高环境温度。" I0 v$ }/ b2 l9 }( l/ r
晶闸管和双向可控硅应用10条黄金准则.rar
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