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显示器高压包改用秘技
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, ?8 m' T" z9 B3 Y看到大家这么期待,本人也不好意思了,今晚早点收铺,努力搞出一部分东西来,大家看过有收获的,记得给点支持哦!!!7 @+ }4 Q+ V1 N8 t8 \" e
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一、高压包的作用。
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高压包,正名是行输出变压器,有人称为行包或行变,在显示器中其主要作用是产生阳极高压,另外提供聚焦、加速、G1等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包,而是S校正电容,在行管截止时,B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电,电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温高频率高电压大电流的状态,加上外部环境潮湿或多尘等因素影响,使高压包损坏几率较高。
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( m& e7 [4 q* Q( s8 U: K二、引起高压包损坏的病灶。
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1、包内高压滤波电容击穿。
0 Z( Z8 H& k+ H2、包内高压线圈匝间短路。5 K& S8 R, C; M _
3、包内高压硅堆漏电或击穿。) h; b" c: Q+ b, [, b$ p! Z
4、包内初次级线圈短路% t, U. |, _7 ~
5、包内聚焦组件老化,使聚焦及加速电压不稳定。8 o5 B) E- Y7 Z: T0 X
6、包体绝缘性能下降,使高压包对内或对外打火。& N* [7 f/ m/ o
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三、与高压包相关的关键词。8 D. W7 V6 B, C+ s9 M0 ^1 X# J- \
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1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同,HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到28KV;17寸机是29KV,19寸和21寸机是31KV到35KV。
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" W9 a* A8 m" y; I2、FV——聚焦电压,有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得,电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的,就分为FV1和FV2,其实是内部多设一组电位器而已。
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" C% N' ^! ~' n+ U7 w$ k( i- g3、SV——加速极电压,也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得,其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压,而是在包内另设绕组,或在行管C极将逆程峰值整流获得,这样做的目的是使SV/G2受到电路控制,方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时,必须采用高速整流管,否则响应不到逆程峰值,只能得到与B+一样的电压。
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7 h9 H5 \2 W# h( _5 o0 a4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时,屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀,就需要加入动态聚焦电路,使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中,动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。
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4 i9 P6 G: |4 G- H1 B5、SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端,通常是接地的,但有些机型将其用作信号取样,在高压变动时使电路作出补偿。5 F4 t, y9 [* H @! E
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6、HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端,阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是HV变动检测。! j) y8 I4 x7 j
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7、HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地,但有些机型将其用作信号取样,检测高压变动。
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/ u/ g/ r! t; t, g8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得,G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度,进入显象管的G1电压是-30V到-100V,关机消亮点通常也在G1控制电路内完成,使关机时G1负压变低,显象管就被截止了。注意有些机型的G1电压是固定的甚至是接地的,它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压,关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压,光栅瞬时高亮,将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣,调制G1可得到较大的亮度范围,但期间白平衡不均匀;调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定,但范围较小。
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9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制,在显示器中,送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲,都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出,也可以在行管C极用分压电压取得,后者故障率较高。
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10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回,也就是行回扫脉冲,在显示器中,FB电压常作为高压包输出电压的参考点,反馈回二次电源,实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起,并没有特别要求要独立取样。: Y- \$ ?! |# p/ V( K& C
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11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷端,用来检测HV的电流大小,当亮度过大时,HV电流必然增大,ABL电路检测到这个情况,就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表(MF10型)或兆欧表,就可测量ABL端到HV帽的电阻,来判断高压硅堆是否有短路或漏电;又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。
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Y+ z+ a5 [# B; }) S9 Y3 i3 L12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈,其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多,发生故障几率非常小;而次级高压线包的线径极小而匝数极多,就容易发生匝间短路。+ {# K3 I& h! _; m0 i
- h. \7 U; m# K# k8 }! k13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言,线圈的阻抗为零(忽略线材本身的电阻率),但对于高频信号,三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML(毫亨)。
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+ P/ B! B% U% o o14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程,截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包(正程时高压包储能,逆程时释放能量)。
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15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍,因此一个绕组采用不同的整流方式,所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大;逆程整流的电压高而电流小,但两者的输出功率相同。; f$ q' T; i; A! Y8 {0 N: x
7 Q! _8 S: @/ q3 e16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同,绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动,那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的;如果要在磁芯中加绕线圈,就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37K行频,在磁芯中绕一圈为例,将高压包引脚朝下,磁芯对着自己,则左边的线头是正端,右边的线头是负端。将负端接地,在正端接以正整流可得到约20V电压,接以负整流可得到-3V电压;将正端接地,在负端接以正整流可得到3V电压,接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚,在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流,反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同,但具体差距并不太大,在绕线估算电压时可以作为参考。
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7 N2 D S0 e, F1 }+ V17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中,高压电流和偏转电流都要经过行管,使之负担较重,故障频生,于是新型的设计将高压电路独立出来,可以设计出更高效的电路形式,实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。% T8 Q1 Q( e/ E i9 B2 i
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18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。8 O( V6 n; q+ F8 A8 u3 `& n
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1)采用二次电源调整的单管输出形式。以SONY-200GS为例,170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包,开关管一只单独的场效应管,这种方式与传统的行输出相类似。) a8 ?- f. ]( V1 |
' m6 f5 A8 l0 _/ w# n8 \8 v 2)没有二次电源的单管输出形式。以SONY-E220为例,80V电压直接输入高压包,开关管是一只单独的场效应管,这种方式要求开关管的激励控制电路,能控制较大的占空比,以得到较大的高压调整范围。* `+ O# m6 \7 Y: t
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