显示器改包技术第二部分

约翰

大家久等了！现在上传改包技术第二部分。
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# R, E. E' I! I' v. Y四、如何判断高压包是否损坏。

6 v! F. _7 @2 O+ `* a+ j 根据高压包病灶的6个类型，损坏后的症状略有不同。
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4 r4 R% h& C5 s; j+ \' ~1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因，大约有四成的高压包损坏与它有关。包内高压电容的容量约为2700P，比显象管锥体所形成的电容1600P高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300P以上，可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10K档，测高压帽对地或对HVC端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，ABL端子所外接的电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏的明显表徵。
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2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全的。

( Z3 s2 J( {1 e# @0 P3 r& [3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流的交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成的表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，ABL电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表，将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽，正常时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通的内阻），将表笔对调，测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。


4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。

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5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。
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2 h5 I( Q' H+ F* l" G0 M6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电，HV电压瞬音下降，势必造成图像大小变动，甚至锁机或烧行管等。
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5 k  T1 ~- ^! [2 g& X五、高压损坏后的补救工作。
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高压包的有些损坏情形是可以补救的，在这里简单说一下。
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第5类损坏情形，聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦的外接聚焦器，其中双焦的还带DF动聚输入。它的原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后，原来的线头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。

第1类损坏情形，高压电容击穿。记得四五年前，显示器高压包奇缺，而且当时大部分高压包的HVC端都是接地的，这就给高压包修补带来很大的空间，我当时潜心钻研此技术，终于获得成功，仅02年一年，就修补了200多只高压包，只要HVC端是接地的，修补成功率就是百分百。不过返修率也颇高，半年内达百分之四十，为什么会这样呢？下面再说。在测得高压帽对地电阻很低，并且HVC端接地后，就可大胆将高压包挖补修复。方法很简单，就是将损坏的高压电容去掉。用电钻对着HVC端钻孔，钻头大小随意，一般我用6到8MM，顺着HVC端子引线（有时HVC引线会横着走到其它地方，不理它跟着找到尽头）打孔深度不能超过1CM，否则打穿了高压电容内层，在填充绝缘物时就会不断冒出气泡，造成修补失败。打孔的目的是将HVC端与外界隔离，使高压封在包体内。打好孔后就是最后也是最重要的一环——填充绝缘物。我用的是环氧树脂，与高压包内所用的物料一样，当然级别就差多了。将高压包倒着垂直放置，使引脚水平，倒入调配好的环氧树脂，份量最好是将引脚3MM以下全部封住（目的是使HVC端距离外界更远一些），一天后可完全硬化，两天达到最大强度，就可以上机使用了。
2 W  e0 [" D! a造成修补后返修率高的并不是修补方法本身，而是我使用的填充物——环氧树脂。现在市面上买不到与高压包内所用的同级的环氧树脂，这些高级别树脂可抵受10万伏高压，我能买到E-44级的树脂，绝缘强度勉强够，但如果调配比例稍有误差，强度就会下降，被高压击穿就在所难免了。大家如果能找到更好的绝缘物料，修补方法根本是万试万灵。现在高压包来货越来越多，而且价格很便宜，如果能买到包，修补就不要考虑了。也许大家会问，如果HVC端不接地，可否修补呢？其实是可以的，问题是如果HVC端是信号取样，去掉后必须要另找替代取样，或增加高压电容获取HVC端子，或在高压包磁芯上绕线匹配后取得信号，其麻烦程度还不如改一只包算了。

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$ N1 a& w: b* \- }7 g& L六、改高压包的准备工具。

1、电容电感表。最要紧的是电感表，可以测量原包与改包的绕组电感量，如果两者所有绕组电感量相差在10%以内，则成功率非常高。
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2、万用表。（这是句废话了，拿烙铁的哪个没有表啊？），我想说的是，最好配备有100K电阻量程的表。

3、50V/2A的外部直流电源。之所以用50V的电压，是因为该电压值较安全之余，还能产生勉强够的高压，让屏幕有显示，如果还有其它的故障隐患，便可在故障扩大之前看到并加以解决。
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3 j) e  f+ R; \" |- Z( a9 q七、改高压包前的资料搜集。

  M0 o9 O0 \5 [: T% Q1、高压包的引脚功能定义。
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5 F3 A' m8 U8 I; E8 I- U 高压包一般是10个常规引脚，外加聚焦组件的2到5个引脚。将高压包引脚面向自己，U型口朝下，顺时针数分别是1到10脚。一般高压包引脚定义如下：
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B+/+B——高压包初级线圈的输入端，接二次电源的输出。
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+B2——高压初级线圈的输入端抽头，没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下的高压稳定。一般用于较旧款的显示器，如ACER-34T。
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+B3——高压初级线圈的输入端抽头，没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下的高压稳定。一般用于较旧款的显示器，如ACER-34T。

VCP——高压包初级线圈的输出端，接行管。

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约翰

D/C——接阻尼管和逆程电容。大家不要被这个引脚吓倒，其实只是高压包初级线圈的抽头，通常距离VCP端只有2到3匝，用来改善阻尼线性，
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: U# M/ l, j: A5 k, aGND——接地。

NC——空脚。（内部空脚或外部不用此引脚）

G1——负压100到200V输出。在包内绕组约10匝。

AFC——行逆程脉冲输出。在包内绕组通常是2匝，电压峰值约35V。
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FB——二次电源取样输出。在包内绕组通常是3匝，电压峰值约50V。
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; {4 T7 R) D8 k+5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。

- C: I- f( l2 Q4 Y# Z" M-5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。
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ABL——内接高压线圈的冷端。
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300V——动聚电路的供电。电压值是200到600V。有时在包内绕组输出，有时在行管C极整流获得。
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DF——动态聚焦电压输入端。

0 C& p* w& D/ _7 D4 m# \! GSFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用作信号取样。

, D+ H, L1 r, \, f% h/ xHVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端。

6 n# H6 B- t$ Y" z. MHVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样。
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FVR——包内聚焦极取样电阻的冷端。高档机所独有，用来检测FV电压。
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+ t) W. B+ e& Z' O, q( g1 w2、提取原机高压包的资料。对照包体引脚和电路板或电路图分析原包数据，如果电路基础较差不能作出分析，就绝对不要改包了。
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1）、确定原机高压电路是否高压独立。这很重要，因为高压独立的高压包初级绕组匝数较少，并且侧引脚通常不接地，而用作取样信号。如果换上不是高压独立的包，肯定不成功。反之，用高压独立的包换入非高压独立的电路，开机肯定会因初级绕组匝数少而高压过高，产生打火并可能扩大故障。高压独立的高压包将在后面另行分析。
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- }6 [9 b. O$ ?! e1 t1 U- e8 N; C9 N2）、用万用表测量并记录原高压包的通脚。

8 D7 x0 y; T! }: V( }* V6 V) f3）、对照电路板记录原高压包的脚位功能。如果电路板上没有标记，就要进行分析，方法如下：
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! }4 W, C8 d# m$ I 接行管的就是VCP脚，通常高压包的第1脚就是VCP，但有些机型如飞利浦philips ，VCP可能在第9或10脚，分析时只要认准行管C极所接的脚就行。

接阻尼管或逆程电容的就是D/C脚，大部分电路的阻尼管和逆程电容都与行管C极接到一起，如果待修机的阻尼逆程与行管分开又怎么办呢？其实D/C脚对电路的影响微乎其微，改包时如果新包没有D/C脚，可将阻尼逆程与行管并接，不会有任何问题。

# \, i/ G9 E. L5 ?2 r' `1 Y 接二次电源输出的就是B+脚，注意行中心校正电路需要以B+为中点，有些电路就会有两路B+输入，分析只需将高压包拆离电路，认准与VCP端相通的引脚即可。
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5 j% x" |9 \8 ]' K* E 通过二极管整流，包括正负整流，而其滤波电容与B+相接的，就是+5或-5V引脚，由于这一电路只用于行中心的调整，使光栅（注意：并非是图像）于屏幕正中显示，所以完全可以忽略该引脚，新包如有此脚的，接上无防，如没有，就将其电路悬空。实际上很多机型都取消了行中心调整电路了，图像的左右偏移靠控制行场扫描芯片的行相位就有很大的范围。
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接地的当然是GND。
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没有外接电路的就是NC脚，NC脚可能是内部无通路，也可能是外部没用上该引脚；另外有一种NC方式是它在包内有绕组，但在电路上只有少许零件，如小容量电容和较大电阻接地，跟着接一根线引到显象管周围，之后又再无去向，这样的电路作用是检测高压泄漏，但我想X射线保护电路本身在工作就行了，再附加这样的线路没什么用，并且改包肯定会变动原电路的啦，所以我也称这种脚为NC脚，改包时碰到这种电路，就将它悬空。
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通过二极管作负整流并且其滤波电容正极接地的就是G1脚，G1脚比较容易辩认，其滤波电容容易干涸漏液，大家都换过不少了。有时候G1脚在整流前会外接高压泄漏检测线，经常圈在高压帽周围，与高压很接近。我有点不明白这种设计有什么好处，当天气潮湿高压帽出现打火时，G1脚首先就串入了高压，其结果是整流管击穿，甚至滤波电容爆炸，由于G1负压消失，光栅就会高亮，并且关机有高亮点，用户不明白这种故障的遗害，蒙懂间开关多几次机，显象管正中央就烧伤出黑点了。厂家这样设计是保护显象管，还是在制造机会损坏它？见人见智了。

  Z$ F% l. J5 r+ ^, ~2 ~ 与包内任何引脚不相通并且外接一只0.1U到1U电容到地的就是ABL脚，ABL脚是改包时唯一不用头疼的引脚，所有高压包的ABL脚都一样，绝对不用担心改后与电路不匹配。
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' L% g/ w! a; R9 D) J2 O" _7 e 通过二极管作正整流并且其滤波电容耐压很高的就是DF供电脚，DF供电脚电压多数是250V到350V，实际上该电压允许有较大的偏移，可以相差30%而对动聚没任何影响。DF供电脚由于电压较高，其绕组多数会与B+相串联，这样就可以减少线圈匝数，当然也有的多绕些线，冷端直接到地。

高压包侧引脚的最上面的通常是SFR脚，绝大多数电路会将它接地。
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高压包侧引脚的最下面的通常是HVC脚。

& S4 s* \- Z2 L& _7 z# B6 r8 x 如果原高压包只有3只侧引脚，则中间一只肯定是DF脚；如果原包有4只侧引脚，就要分析电路找出DF脚。动聚电路的原理是在行偏转支路中串入变压器，耦合行脉冲到聚焦极中，所以找到与动聚变压器相接的脚就是DF脚，并且它的电压较高，通常会有1KV的滤波电容。

$ \6 N7 D& F1 ]( ?5 I3 S 如果原高压包有4只侧引脚，在排除出SFR、HVC和DF脚外，剩下的就是HVR脚了。HVR脚总是与HVC脚组合来取样，HVR取样直流，HVC取样交流，两者或直接并联，或通过阻容元件并联。当然如果原机这些脚都接地，就不用去考虑它了。
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" ?* B9 p3 p  i' E5 d/ y' Q' C AFC脚和FB脚较难分辨，在电路中两者外接零件也很相似,通常是在整流前用阻容网络匹配后作为AFC信号，而整流后则作为二次电源取样电压或X射线保护取样电压，正因为是二次电源的取样，所以必须慎重分析。如果原机只有一支AFC电路，则不需要多费心，如果找到两路相类似的，就可以这样分析，通往CPU、OSD和行场扫描芯片的逆程脉冲肯定是AFC，整流后输入二次电源芯片（可能也是行场扫描芯片）的就是FB。

4）、用电感表测量原高压包的通脚电感量，原则是一定要确定测量点，比如测量初级线圈，就一定要以VCP点为固定一端，再测其与B+或其它脚的电感量；而测量次级线圈，就一定要以GND点为固定一端，再测其与其它引脚的电感量。次级线圈由于有几个绕组，如果确定不了GND端，则其它引脚互测的电感量会被抵消或叠加。有时次级的几个绕组并不一定只有一个GND端，但其在电路上仍会被接地，需要看电路上的走向确定GND端。
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+ H7 n; ]2 ?. g, q; j, Y1 E5）、原机高压包只有在初次级线圈短路的情况下，才能影响到其通脚电感量，其它如高压电容击穿、硅堆击穿、高压线包短路、打火等都不会影响其原来的电感量。
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3、将原机高压包资料包括通脚和引脚功能与新包对比，选择相似度较高的作下一步分析。
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约翰

1）、新包也就是待改包的资料需要平时用心搜集，特别是引脚功能的搜集，因为通脚的相同基本上决定不了什么，而引脚功能的相同就可以很大程度提高改包成功率。如果通脚与引脚功能完全相同，再测一个电感量，那么这个包改进去能正常工作的机会就非常大。这是我平常改包的的首选方案。实在找不出通脚与引脚功能完全一样的包时，才考虑改线或另加绕线方案。我在后面部分会把自己平常搜集的高压包引脚功能，及高压包的直接代换型号上传，这也许正是各位所最希望看到的了，当然了，那只是代用，不用改，放上去就行。
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2）、如果没有新包的引脚功能资料，也可以分析得出，这就需要优先选用一些初次级线圈较简单的包来改。比如初级线圈只有B+和VCP两个通脚，如1-2，那么第1脚肯定是VCP端。次级线圈只有AFC、G1和GND三个通脚，如3-4-5或6-8-9等，那么要用到电感表来分辨，下面将有详述。这种包我本人称之为通用型高压包，在其基础上，很容易加绕出其它功能引脚来。
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3）、线圈匝数与电感量的关系。以在磁芯上绕一圈为例，所得到的电感量约为0.003ml，两匝就是0.006ml了，而AFC绕组通常只能两匝，也就是说AFC电感量为0.006ml，所得到的峰值电压约36V。如此类推，G1电压约-200V，所需绕线约10匝，电感量约0.04ml；FB绕组通常绕3匝，电感量约0.009ml。以上数据会因磁芯磁通量大小而有误差，具体操作可在该磁芯上绕一圈线测其一匝电感量，得到基本数据后就可能推断包上其它引脚的功能了。
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3 ~9 I* X2 U3 U4）、将所有信息汇总到草图上，分析得到两只包的数据如果相距不大，就可以上机试验改用效果了。


1 t$ E5 X2 p" ]" ]( A  j0 |3 X今天到此为止，下部分将详述改包步骤及调整方法，大家多多支持哦！

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看来要跟你学学了。

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真是汗啊  我的帖子好少啊  加油