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晶体二极管的分类 8 N( I* |3 D( I4 s$ \5 [+ I
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3 g* H( z" I7 V* u/ m1 Y一、根据构造分类
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半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下: / C8 j8 C' i' P% P+ o0 w7 _) b9 x( D% ^" u0 y
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% `2 o3 S# T+ J点接触型二极管 # x8 \. f- m1 t1 |
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。 4 Y# B- C2 K6 A8 b. A& J
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: x; a4 R' }3 o9 \ i键型二极管 , o: [/ m& F% N( \9 H9 A
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
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$ @- h( l+ e% O合金型二极管 * d; o0 r- { O1 Z
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。 4 W) d7 \% t! H5 F( Q w- ~& b$ s
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2 k6 ^' @9 \7 f& \2 b, I扩散型二极管
/ z3 d. A& \0 _. b' b# {在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
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台面型二极管 & e1 ]! e1 x2 i# i! t, `, J
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
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平面型二极管 ( S" H5 m/ @/ ?5 Y+ P8 S
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 4 c/ k8 }3 C- O l: D% Y+ k
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合金扩散型二极管 ! T# Q1 Z% l# Q% @! X& x
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 6 ?/ |' k6 w1 W& L
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4 b- Z3 [. t- l5 r3 i外延型二极管 9 q( ], B3 j$ F* c5 j, V" x
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
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$ \$ M! y* H9 P. D8 s! E8 t肖特基二极管 % F6 y e" l+ b
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
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二、根据用途分类
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检波用二极管 4 Q- ?/ X" d$ G# t- z
2 X% f5 k/ d. o7 v( f/ c) i9 L, x. E, u就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
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3 o. J9 W% j- C, c. _' n- ?整流用二极管
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; s6 Q0 b; o! l3 E4 I4 B就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 - [# _5 h6 B* R" `6 s0 B3 B
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限幅用二极管 " W1 Z+ O$ l5 w) c2 d1 H
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 3 i0 {1 H! i `2 [5 c1 ^* v, Q
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调制用二极管 6 Y) B5 C+ ^* z) @) Z
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。 % j5 [" }4 t; N$ s! ~6 Q8 h x- a
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混频用二极管
6 @9 N" f8 X& l: _% s1 k8 ]# o使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。 1 w5 M* X9 u7 ?: {' m( c* Q7 O
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4 N, R2 C# a9 A L4 \2 m放大用二极管 Q# R6 S+ R, Y4 B/ t c* R, L
用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 3 E3 \7 {' P+ R5 N4 P
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4 Z. v6 Z; ~5 g1 D开关用二极管
' A9 v3 K9 E' U有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
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& a+ _( M2 U7 D! G5 ~8 q8 }变容二极管
! {( v# e1 Y& l$ I, y用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
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频率倍增用二极管
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