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[分享] CCD和CMOS摄像头的区别

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发表于 2015-12-18 18:21:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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CCD和CMOS摄像头的区别 % K/ Y/ _6 h+ J" t) u
本文主要介绍了在闭路电视监控中摄像机的CCD与CMOS的区别:包括摄像机CCD和CMOS摄像头的优缺点比较、结构上的差异、ISO感光度差异、成本差异、解析度差异、噪点差异和耗电量差异。  . A1 l7 Y8 t; I- r
    首先说一下在闭路电视监控中摄像机的CCD 和CMOS 的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说,CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大,再串联 ADC 输出;相对地,CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC(放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信
, ]/ R0 F5 J* K1 C$ c号。  8 p2 W6 W+ e* k5 G9 S
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两者优缺点的比较  1 p. Y' d+ ]& r' W0 \+ F
                                    CCD                                           CMOS              设    计       单一感光器                            感光器连接放大器              灵敏度      同样面积下高                        感光开口小,灵敏度低              成    本       线路品质影响程度高,         成本高    CMOS整合集成,成本低              解析度      连接复杂度低,解析度高     低,新技术高  1 z8 S/ [1 s1 ]: z) ^; V' t
            噪点比      单一放大,噪点低                百万放大,噪点高              功耗比      需外加电压,功耗高            直接放大,功耗低  
8 C$ y7 E$ \5 ~* X' \$ R    由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。      整体来说,CCD与CMOS 两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:  
1 U) N& g) T( Y    ISO 感光度差异:由于CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS的感光度会低于CCD。  
  Z0 {" n. R4 |; d& T    成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失;相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边,CCD的制造成本相对高于CMOS。  : q6 W- N. o0 A
     解析度差异:在第一点“感光度差异”中,由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂,其感光开口不及CCD大, 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时,CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过,如果跳脱尺寸限制,目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万像素 / 全片幅的设计,CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难,特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。  * L2 f' c7 G* O% N; x! [' Z& ^
    噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的ADC 放大器,虽然是统一制造下的产品,但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在,很难达到放大同步的效果,对比单一个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。  
  h2 R: e/ s3 w% d  C9 P# T; Z9 ?' K    耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式,感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式, 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度,高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。
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