内存详解

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Samsung
$ Q& J) C' I# T  M/ |+ s) n1 q3 `
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
" z5 _) `+ m- }8 B" _% B  r, W2 T第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
0 Z! Z! o. N' f% s/ y$ }# V0 l第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
4 [* l5 G" G- d- C第11位——连线“-”。
# `# {: `7 r! }第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) 80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
6 {# n6 m. k4 O6 y知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星samsung DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） ?16片/8bits=256MB（兆字节）。

8 V+ V8 L% H2 i/ r注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
  c0 z" O2 h9 S* `  J
) Z) E, q/ N: E" e4 xHynix(Hyundai)现代

0 a7 G2 M# x! |6 c" u7 u现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
, \2 d' C  Z7 y& fHY XX X XX XX XX X X X X X XX
7 Z& i) C$ B* L2 Z% W1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
5 E5 n9 d# ?* g8 I; D1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

# Y7 B" e2 x! U  _1 y  T4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

. d3 W" |: M5 W5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
+ G% f3 j6 C$ L7 j' }. i
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
2 k/ C, ~& z, ?8 D7 `
7、I/O界面：1 SSTL_3、2 SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

3 l' A4 ?: y) o* K5 @$ \, C7 l9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

6 ^- z: m) R6 u" [' s8 I& ?# F10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

% ]8 n6 K7 a4 D0 ~6 U' i11、工作速度：55 183MHZ、5 200MHZ、45 222MHZ、43 233MHZ、4 250MHZ、33 300NHZ、L DR200、H DR266B、K DR266A

- }2 O* L! W* f* R" c$ R3 Y
Infineon（亿恒）
- F: @+ i4 q8 T/ e9 M
Infineon是德国西门子siemens 的一个分公司，目前国内市场上西门子siemens 的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
/ o, d; U& P) Z+ E  a; L0 H
: y. v8 r# U* s6 |5 k5 pHYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
2 t7 a$ T' w6 A/ S/ c9 f8 M
) }5 m1 K1 w0 tInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
7 V: R& d( c5 h' ^6 b' z
+ |" r. a3 C, x-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
- J3 g( p4 f, ^" j0 N9 u-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
' ~7 M: [( N. K! s
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）?6片/8=256MB（兆字节）。
7 l) t5 M" M7 i& y
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） ?8 片/8=128MB（兆字节）。

7 Y+ d2 C8 k; Y  g2 K) H( J# ~3 i
; ?, ~: S: w( k. EKINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明
( R0 n" y# M* }- a! N1 m, @% D
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
7 A( }3 X% U4 K& X& }) |, l6 E
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 ?4位数据宽度；
( a) _7 h( t0 V9 e' ]KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 ?8位数据宽度；
9 A( l$ @% J# L+ FKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 ?4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 ?8位数据宽度；
% c4 B& u+ k( A( CKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 ?16位数据宽度。
1 S" `8 f6 W- Z& t6 k
9 Y* |& Y( M" l" A: tKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
  J# j  j9 _4 G- D& O-7——PC133 /CL=3；
/ {6 R. q0 e6 P-8A——PC100/ CL=2；
& T' d8 @/ U3 Z' D7 n-8——PC100 /CL=3。
. f9 \& P3 q9 N! [1 V8 @0 N: `. w( ~
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）?6片/8=128MB（兆字节）。


Micron（美光）
3 R& S' Y  R" r* ~, m, n9 S8 ?
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
3 N+ |( T' \6 x* w1 H含义：
) g$ Y  ^5 }. m/ r6 R1 S) q1 vMT——Micron的厂商名称。
1 q+ i3 x5 l, O% m" _4 F' e, z: t# b48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
; V1 D3 Y* Y9 G: R3 I16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）?位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
8 f; y; B3 j3 A' N( x6 w# j% R$ M; xTG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
9 ~/ C6 V' [2 y  ^2 g3 K
: H3 S" t& z  c/ V) {' K  E实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
) }& I2 |" Q7 Q
其容量计算为：容量32M ?bit ?6 片/ 8=256MB（兆字节）。

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Winbond（华邦）
0 w  y. s) @9 B9 z
含义说明：
2 M3 H* ], Q: e/ e4 K: S3 l6 e7 jW XX XX XX XX
1 2 3 4 5

% A5 u! g! A% y5 E" E( P9 w1 S1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
( I0 M, y" q) L& g* S! p5 T" y
, I7 j3 B% G# B: S- ~2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bwm1951

我顶．．．．．．．．．．．．．．．

釾ω斬ご斬

好资料，收藏了

雪侬

顶啊!呵呵!!!!!!

小卡

我收藏了....
+ J  U1 c' s) l, q) V# {" l& I  U
8 @" \  _" _6 ^% U" v% p- J/ g
" ]+ P: T: j6 Y0 _
6 r" y6 Q/ |2 `3 ]. D% E

heima007

呵呵 高高实在是高~~~~~