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功率MOSFET管

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发表于 2009-3-26 09:22:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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功率MOSFET管
' \* g* s# f$ I" R9 Z自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如* u' `' Y( M; j; H
高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ;工作频率+ ^  o; I. E2 e" v
范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如
/ A1 l9 o  c  {2 r* s2 k2 w, aSILIConix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。
% ^1 p5 ^/ h9 F( r) m“MOSFET”是英文MetalOxide SemICoductor Field Effect Transistor的缩写,译成
9 p1 s! p+ Q  ~/ X4 B中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。
) r9 \: D0 ^3 U2 J功率MOSFET的特点
& z, V) D$ ]# [2 F6 v8 H4 Y: N0 x功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点:
' _. S4 ]3 M9 O" h* u2 ]/ r3 i* w1.MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推4 A: R, s) i: S* k, u: @  Q
动级,电路较简单;
, p4 B: V  M- m2.输入阻抗高,可达108Ω以上;
0 ~& C. k( R% Y/ ?# k$ Z, L6 U% y3.工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;: u$ }) S% ~2 B3 p. d
4.有较优良的线性区,并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的3 N/ ^9 A' B" H1 a& ^' V
交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作HI-FI音响;
% `. `2 {" r% w) \; P) G  k5.功率MOSFET可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。0 A& L, V9 z9 o2 U. T" e, d
" v) x) V/ T/ L. t/ _% g
2SK2094
9 O7 X: {0 K  v8 Q5 g2 b2 ?3 W2SK2103/KA8 o* _! \3 [. R: {9 L
2SK2463
- Y: i7 p6 w; Z2 X! s! n  j1 `2SK2731
* B% a2 b9 r8 G; ]' Q' Z* |6 x2SK3018
9 c. b- k! ~  I1 }" Y8 K1 ?6 A2SK3019% P/ w- q8 J$ m5 Z" e( ~
2SK3065
+ p$ ]" }% q8 s7 X3 YRDS035L03
9 s  y: ]6 A/ x: f) Y. l) P2 jRHP020N06
+ J! m* z& d5 iRHP030N03& d. S# e/ l% o6 ^- h
RHU002N06
1 R1 ]% ?3 y0 X) C) M4 m' A' XRHU003N03" p# I; l- x3 b1 `) c& V  H
RJP020N06
* T$ k  s$ ^' FRJU002N06( e8 z9 D" [  G8 |# a) z! l* D
RJU002N06 T106
' z. p+ C5 V* ~. z* FRJU003N03; G8 y0 k. |1 c2 _( a) R
RK7002' i# j' ^1 W3 |4 V. @. z
RR255M-400- K' [# e' V2 |! |9 {6 v9 X7 a
RR263M-400
. F3 t5 B8 U7 d7 v$ WRR264M-400# `* u' P2 ]- ~: L4 V% J0 ]9 U  L) [
RR264M-400TR
# K  s% B- F) u  F. ]6 G# aRSA6.1ENTR/E61
5 N6 `! V1 \" t2 L* kRSB12JS2
( ~0 y, Z1 k: f9 T6 FRSB6.8G8 f# p; x1 C1 N& {/ ^' q
RSD3763 D( f( j* b3 h# Z
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RSM002P03 T2L
6 F) v+ _( F6 S! I( l2 {1 A' b& [7 mRSM002P03FS
" e' u# H3 u( r# S/ o+ @4 QRSR025N03
5 K9 k. m' ?+ b8 E7 I* q" SRSS090P03TB1 G4 J) e+ Y' ]2 T1 G  ]9 U: q5 \2 j& z
RSX101M-30
& n6 H" u- O& Z) H/ v& U+ SRSX101VA-30! F' I7 V% s1 G/ h: b. A
RSZ5226B
# N3 e  {" ^0 j- d4 \. `3 |2 m- ~RSZ5228BT116, X  R3 |% _* e0 B/ {/ v0 t/ E7 g
RTL030P024 X# N) x- G8 F- p$ c
RTL035N036 w' z& y! t7 F# t: R- T
RTQ025P02: N4 }5 p. `: s2 ?% R$ V* f
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RUM003N02
$ i4 T& V% Q2 Z  a( w1 Z# W9 e2 x  c+ {" V" K' @' Y; e% H: H0 d
RTL030P02TR
0 B# H8 U* N2 w. q/ ]制造商: ROHM Semiconductor . S: Z1 V0 X0 j. \. M& K
       
1 r- Y; C+ C* N( d( x- i9 ]: b产品种类: MOSFET Small Signal 3 c6 l- O8 M2 X+ Y
        8 H# S! q) }' S6 [1 d
RoHS: 详细信息
- O4 a- ~8 l6 ~' `8 \       
5 |! \; k; w' O0 }& o- ~, h. S) d晶体管极性: P-Channel ) G. p* s, d1 n) a. d% X% k
        7 Y9 n' L" x6 m9 O& z
封装 / 箱体: TUMT3
( i, _$ `6 _/ L  m9 X        ; @2 n8 i/ k4 z% g2 @: ^1 Z
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.9 Ohms ) U( O8 J& y( q9 z
        , i# _) {0 p' M6 C5 v5 i/ W& G
汲极/源极击穿电压: - 20 V 3 V* ?0 {  Q3 g, l5 I' P# Y3 P/ J2 T" i
        $ F# E: o/ N2 F
漏极连续电流: +/- 3 A
2 M  W, J% `% r2 Y6 F, r3 E# g        , N; B; X  z" {
功率耗散: 1 W 2 `% g4 y3 f0 a8 }6 ^/ ~
       
" ^/ A' m) K( V5 ]/ g封装: Reel

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发表于 2011-11-22 10:34:24 | 显示全部楼层
顶你一下,好贴要顶!  
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