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[ ] DDD 型行幅电路的工作原理与维修

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发表于 2010-2-15 18:00:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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论坛上时常看到很多行幅问题的提问,看来部分朋友对行幅电路的工作原理还不太了解,今天就简单的说一下,希望对大家有所帮助。1 B& u; X' |/ u% r
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- F4 g7 ?5 H9 ]% {/ U! Z 下图就是最常见的行输出电路简图,现在90%的显示器和几乎全部彩电都采用这套方案,只有部分高端彩显采用了高压分离电路,行幅控制就完全不同,这里不作讲解。; Y4 @9 B, s# r, f  O, q
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( d$ m' {. S7 N% ?; H# c& d  `/ {0 G6 Q) o 图中的行输出电路的明显特点就是有两个阻尼管D1和D2、两个逆程电容C1和C2、还有两只S校正电容CS和C3,这就是所谓的双阻尼电路,英文称之为Dual Damp Diode (双阻尼二极管),简称DDD型行输出电路,由飞利浦philips 公司发明。其中FBT就是高压包,Q1是行管,C1是上逆程电容,C2是下逆程电容,D1是上阻尼二极管,D2是下阻尼二极管,H-DY是行偏转线圈,CS是上S校正电容,L1是枕校调制线圈,C3是下S校正电容,Q2是行幅调整管。1 ?; y2 [8 f0 q7 y6 i

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这套双阻尼电路还包含了两个谐振频率相同的逆程谐振回路,回路1是H-DY、C1和CS;回路2是L1、C2和C3。一个线圈和一个电容就是一套谐振回路,大家应该先理解到这点。1 W+ |4 A) P2 w$ k  }) \$ Y
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行幅管Q2相当于一只可变电阻,现在先不考虑它对于主电路的影响,即先开路Q2。电源电压B+被S校正电容CS和C3分压并储能,因为容量上CS小于C3,所以在分压比例上,CS上的电压V-CS要大于C3上的电压V-C3。(容量越大,分压越小)并且V-CS上的能量要大于V-C3上的能量。在行扫描正程期间,行管Q1导通,因为V-CS上的电压是上正下负,所以D1反偏截止,则偏转电流的通路从CS的上端到H-DY到行管Q1到地再D2再到CS的下端,完成一次行扫描过程,可以看出,行偏转电流的能量提供者实际上是S校正电容。而在行逆程期间,行管Q1截止,于是上述的逆程回路谐振,形成行逆程脉冲,并通过高压包的初级放电,高压包次级就产生各种电压。再说点题外的,由于行管Q1的周期性导通,高压包初级的电流周期性产生,于是在高压包次级也会感应出另一种电压,这就是行扫描正程电压,这个电压相对于逆程电压来说,能量一样,但幅度小8到10倍,于是供应电流就大8到10倍。5 u; ^+ X5 O+ f; S# v
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/ ^* S3 j7 \) n* Q 那么行幅控制的是如何运作的呢?上面说过了,偏转电流是经过下阻尼管D2来完成回路的,而同时下S校正电容C3上是有电压的,这个电压极性是上正下负,并且并联于下阻尼管D2上,使得下阻尼管D2反偏,其结果是减少了通过D2的电流,也就是减少了行偏转电流,行偏转电流的减少就是行幅的减少;另一方面,由于L1和C3的谐振,使得C3上的电压增加,更加促使流经D2的电流减少,行幅进一步减少。这一过程其实就是通过调制下阻尼二极管D2上的电流,来达到控制行幅的目的,因此这个电路也称为二极管调制型行输出电路,下S校正电容C3上的电压就是阻尼中点电压。
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" W/ M% d/ h+ o+ \7 B0 ]$ @ 说到这里,行幅电路就比较简单了,行幅管Q2的作用就是控制C3上的电压,使其减少行偏转电流的控制量达到我们的需要。另外,如果加上Q2上的控制电压不只是直流电平,而是按场抛物波的规律变化,那么在场扫描的上下端,场抛物波状的行偏转电流变化,将使图像的上下端被收缩,完好枕形校正过程。8 F7 m1 x- {7 |  R- K9 e1 j0 n  \% i
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以上关于行幅控制电路的工作原理,如果大家充分理解了,那么维修行幅电路就不是什么难事了。比如当下阻尼管D2短路或漏电,而D2上的电流不会受控,于是行幅也不受控;同理,并联于D2上的下逆程电容C2及行幅管Q2短路或漏电,也会使行幅不受控;由于需要靠C3和L1的谐振,才能使C3上的电压达到较高的电平,因此如果此谐振回路被破坏,如L1电感量或C3电容量不足,那么在C3上形成的电压就不足够或根本没有电压,行幅同样不受控。2 n0 l* A, x, i

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% O( ?+ e% N% ~8 ^3 w3 z$ G, ~3 K 我们在接到一台行幅过大失控的故障机时,首先要做的是开路行幅管,排除它对主电路的影响,如果阻尼中点电压恢复到正常水平(一般为30-50V),那么故障就在行幅管及其控制支路上;如果还未恢复,故障就在主电路本身,应查下阻尼管D2、下逆程电容C2、下S校正电容C3及谐振电感L1,直到中点电压建立起来。而在实际的电路中,为了配合不同的行频,上S校正电容CS的容量需要是可变的,行频越低则CS容量越大,以维持总的行扫描功率不变,这就是S校正切换电路,通常由场效应管充当切换开关,因此切换电路的异常是会影响到阻尼中点电压的,这点在检查所有基本元件无果时,是需要进一步检查的。
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  A3 U& _1 U6 C5 C$ m 最后说一些行幅失调的特殊个案,都是阻尼中点电压不足所致。
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1、一台三星samsung 793MB,行幅大可以小范围调整,但总调不小,开路行幅管,阻尼中点电压只有12V。经查竟然是下逆程电容C2被人更换为0.27uF,而原容量为5600PF,容量增大近50倍,结果是下S校正电容和枕校线圈无法正常谐振,(能量被大容量下逆程电容短路),于是中点电压不足,无法阻止下阻尼管的偏转电流,行幅就过大。) w4 ~+ H7 k+ y
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2、一台方正FZ-770KD,行幅大且完全不可调,开路行幅管,阻尼中点电压只有1V。经查该机的阻尼中点有二极管和电容反馈到行管B极,该二极管漏电造成阻尼中点电压被短路到地,行幅过大失控。
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7 ~; C% F  r1 F* z/ C1 o  a* t3、一台美格786FT,行幅大且不可调,开路行幅管,阻尼中点电压只有6V。经查发现一只S校正管的G-S击穿,G极外接隔离二极管击穿,阻尼中点电压被此二极管分流,行幅失控。, ?- s0 I% s8 Q- S1 e: V( S

, J$ m3 P# V! n5 @4、一台三星samsung 743,行幅大可以小范围调整,但总调不小,开路行幅管,阻尼中点电压也是12V。经查竟然是枕校线圈的磁芯掉了,使线圈几乎没有了电感量,于是谐振无法产生,中点电压不足,行幅过大。
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1 C8 A& l- p! d* A. K6 ]( _8 F' i5、一台飞利浦philips 107T,行幅大且不可调,开路行幅管,阻尼中点电压不足4V。经查是3.3uF的下S校正电容失容,于量谐振无法产生,中点电压不足,行幅过大。  m; W  ?& Y8 N7 h  w1 u$ w: m
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# M1 N, |; V- j. n 以上所说,部分涉及到基础理论,可能有点难懂,大家仔细研究一下,有收获的就多顶几下吧。。。。。。

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该用户从未签到

发表于 2010-2-15 18:00:25 | 显示全部楼层
认真看了,对DDD又有了更深的认识,谢谢liangshun师傅。您真应该写本书。
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