内存详解

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Samsung

具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
4 x' B; ]1 _1 p. u- N第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
5 ^+ c# E, y/ R6 Q# r6 B第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) 80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
, I0 l& r! P1 {# L% K知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星samsung DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） ?16片/8bits=256MB（兆字节）。
$ x: _) |- W  V; s+ r  \
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

0 u, F3 w: g8 E4 a% q' `Hynix(Hyundai)现代
: G+ }; Z  N5 N. O
现代内存的含义：
8 e- d$ I! @7 t: k/ CHY5DV641622AT-36
1 M7 x* T2 X6 h, a# T. l" Z6 u3 w! SHY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
/ G6 _# f# H: A6 q0 _
( V: {; i% x7 A0 \5 z4 ?$ J$ S; D2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
; ?1 M- }; }2 X
- x0 X. P" X" T- \3 n/ U3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

) d1 W5 K# y, j) Y6 k4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
/ p- d! L4 O. U1 ^+ c8 a
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
4 |- ]! r+ Y8 Q: f5 z2 Y/ a
- l  ?4 v. W; x/ ^8 p# C4 g; y6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

% @6 Q8 G6 E. g! K5 q% F7、I/O界面：1 SSTL_3、2 SSTL_2

; H- c6 v7 `% n* T/ W: p9 W8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
  Z1 @4 B& K  @" {" @( W3 F5 k+ u
- x  N* X" y( {$ }* a, T9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
2 ]# I6 K- w) e5 c
1 ?5 e5 \- O: a10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
. s# p. L. k) ^5 z9 M7 x
11、工作速度：55 183MHZ、5 200MHZ、45 222MHZ、43 233MHZ、4 250MHZ、33 300NHZ、L DR200、H DR266B、K DR266A
/ N% J" v. h1 I4 t

Infineon（亿恒）
2 X. K( p6 v- A
Infineon是德国西门子siemens 的一个分公司，目前国内市场上西门子siemens 的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
' ~$ w4 q8 e/ n# q* A
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
" ]- U; u$ U1 [* k! C
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
) ?+ b. c; I9 b0 v2 Y-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
1 x0 z  Y2 J& c- D% M1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）?6片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） ?8 片/8=128MB（兆字节）。

2 ^/ J* {$ |! s! R! _2 _7 Q" w
1 ]; z2 b5 i  k5 A" ^KINGMAX、kti
/ ]( a' ~/ [5 L. O8 j8 b" r
KINGMAX内存的说明
9 U: v6 _( r* @7 P( C  N4 z, H( L
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
1 g$ ?4 t% t! d' s7 C, k/ T
) s) c5 }7 k6 f' w- Q; n& ?) `( A" _! a容量备注：
( ]0 [: t% D  O3 `' S2 FKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 ?4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 ?8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 ?4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 ?8位数据宽度；
' y! g2 M; g! G) UKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 ?16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
% l3 t, D, ?3 R' i. D9 ^9 Q% b-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
4 }& g! w0 w5 |* T( |& c
. I9 w! @0 L! ?2 F& I2 l3 S, ]3 m/ q例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）?6片/8=128MB（兆字节）。
2 N  g' n) }/ ?  _) O+ T% T% X+ Y
# m. H/ Y1 q0 i+ u( a3 M
Micron（美光）
) f* }- k4 G/ _8 Y
; \7 k6 J* E6 J2 K7 i* X以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
  y  W3 Z% W9 q! p% ?6 k) e9 j含义：
MT——Micron的厂商名称。
5 J( U$ g5 H. M  Y- C0 \48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
7 G# y( r3 {, ]- `! B8 W0 F& ^16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）?位数据宽度。
" {' I) O6 m8 z1 G, V8 n+ ZA2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
  A( G8 K9 V. t+ D- Z& Y-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

! ~! o* c& R6 e/ Y+ n其容量计算为：容量32M ?bit ?6 片/ 8=256MB（兆字节）。


Winbond（华邦）
) [9 j8 S8 p3 R$ B+ \  X& Y
+ d; T) o7 I- h: D& m/ }含义说明：
W XX XX XX XX
$ H2 ]8 [" A5 f) a1 2 3 4 5
8 _0 z  A' ?' u( l3 W
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
1 P' R9 |/ p' P- }, z
3 s: c. X3 G% U0 V9 j6 K2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
$ h) B* f( V8 g5 ]; o4 n
' y" e, P$ I9 h3 |" K$ a" b% D4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
) W. J- b! P' }8 U0 V
  n( B7 j1 J4 i9 M8 S5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bwm1951

我顶．．．．．．．．．．．．．．．

釾ω斬ご斬

好资料，收藏了

雪侬

顶啊!呵呵!!!!!!

小卡

我收藏了....


$ O3 I8 r3 T2 k: ?, K8 m6 G
$ k6 z- P- e& h/ b9 \5 K0 y4 V
; |( X8 u9 h* N* E
$ U' H7 g/ U8 g( \

heima007

呵呵 高高实在是高~~~~~