摘要： 本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。 关键词：微波；高电子迁移率晶体管(HEMT)；异质结双极晶体管(HBT)；单片集成电路 中图分类号：NT385 文献标识码：A 3．3微波单片集成电路(MMIC) 微电子在提高集成度的同时，继续提高工作频率和功率，向微波、毫米波进军，出现微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)，从而推动了在传统无线电高频领域工作的通信、雷达、导航、测控等的全部微电子化，表示通信技术进步与微电子的发展。 近年来，在微波、毫米波单片集成电路领域内，最引人注目的是美国国防部发展军事微电子电路总计划之一的MIMIC计划，此计划总的目标是开发1-100GHz频率范围内的各种单片电路，且要求其成本低、性能好、体积小、可靠性高，能批量生产。 3．3．1 功率MMIC 随着卫星通信、相控阵雷达和电子战系统的发展，对功率MMIC放大器的需求日益增长，使其已成为研究的重要领域。在18GHz以下主要是GaAsMESFET和HBT器件功率MMIC放大器。在18GHz以上，则是PM-HEMT的功率MMIC放大器。NECCorp研制成全增强型VQ为+0．25VHJFET，PAE在31．5dBm输出功率下为79．6％，输出增益G，在836MHz为11．5dB，采用E-HJFET研制成二级功率放大器，在3．5V单一电源下工作，MMIC的PAE为71．9％，输出功率为31．5dBm，在836MHz下，功率增益为24．5dB，在零偏置电压下，MMIC总的漏电流为5μA。Mitsubishi ElectronicCorp研制成用于Ka波段通信系统的MMIC--级功率放大器，在30GHz下，输出功率为1．44W，芯片尺寸为 1．94mm×2．0mm。TRW公司采用0．0508mm厚PHEMTMMIC和氧化铝微带组合器研制成3WQ波段PHEMTMMIC功率放大器模块，在45GHz下，峰值效率为25％。ITr8404FN／FP是GaAsTEK公司推出的单片微波集成电路功率放大器，在5．5-7GHz范围内，其饱和状态下的额定输出功率为6W，且具有高达16dB的线性增益，在IdB压缩点上的输出功率 [1] 和带宽方间更好地其他半导体技术。 Cree公司研制的GaN分立器件和MMIC的目标是高频(5-35GHz)商业宽带通信应用以及军用雷达和通信应用。该公司的GaN混合和MMIC放大器分别受到美国空军研究实验室和海军研究实验室特别关注。 RF Nitro Communication lnc首次报道了大功率A1GaN／GaNFET基高效VCO，其特性为，大功率2．7W，高效率为27％，高的电源电压为3．5-30V，大的调谐带宽为13％，可控电压为1~9V。 [9] |
