功率管及其散热

为了提高功放电路的输出功率，保证电路安全工作，通常有两种方法，一是采用大功率半导体器件（功率管)，二是提高功率器件的散热能力。

1．三种常用的 功率器件的比较

双极型功率晶体管(BJT)、功率 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT )是三种常用的功率器件，它们的特点如表 9 .2 所列。

表 9.2 三种常用的 功率器件的比较

功率管良好的散热是保证功率放大器正常工作的重要条件,散热的好坏通常用热阻的大小来描述。热阻RT定义为每1W的集电极耗散功率使晶体管的结温升高的度数，即

热阻RT越小，散热条件越好。功率管最大允许的管耗PCM与热阻大小、工作环境温度有关，即

式中，TjM表示PN结的最高允许结温;Tα表示功率管的工作环境温度。