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CMOS集成电路基础知识

2011-4-15 18:34| 发布者: fengjielin| 查看: 82| 评论: 0

摘要: CMOS是Complementary Metal-Oxide Semiconductor一词的缩写。在业余电子制作中我们经常会用到它,这里系统、详细的介绍一些CMOS集成电路基础知识及使用注意事项。 CMOS集成电路的性能及特点 l 功耗低 CMOS集成电路 ...

CMOS是Complementary Metal-Oxide Semiconductor一词的缩写。在业余电子制作中我们经常会用到它,这里系统、详细的介绍一些CMOS集成电路基础知识及使用注意事项。

CMOS集成电路的性能及特点

l 功耗低

CMOS集成电路采用场效应管,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通,另一个管截止的状态,电路静态功耗理论上为零。实际上,由于存在漏电流,CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW,动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW。

l 工作电压范围宽

CMOS集成电路供电简单,供电电源体积小,基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路,可在3~18V电压下正常工作。

l 逻辑摆幅大

CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V,VSS=0V时,输出逻辑摆幅近似15V。因此,CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。

l 抗干扰能力强

CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%,保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加,噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压(当VSS=0V时),电路将有7V左右的噪声容限。

l 输入阻抗高

CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络,故比一般场效应管的输入电阻稍小,但在正常工作电压范围内,这些保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流,通常情况下,等效输入阻抗高达103~1011Ω,因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。

l 温度稳定性能好

由于CMOS集成电路的功耗很低,内部发热量少,而且,CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性,在温度环境发生变化时,某些参数能起到自动补偿作用,因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路,工作温度为

CMOS集成电路最主要的特点。

CMOS集成电路应用常识

l 电路的极限范围。

表1列出了CMOS集成电路的一般参数,表2列出了CMOS集成电路的极限参数。CMOS集成电路在使用过程中是不允许在超过极限的条件下工作的。当电路在超过最大额定值条件下工作时,很容易造成电路损坏,或者使电路不能正常工作。

表1 CMOS集成电路(CC4000系列)的一般参数表

参数名称

符号

单位

电源电压VDD(V)

参数

最大值

最小值

静态功耗电流

IDD

uA

5

0.25

10

0.50

15

1.00

输入电流

II

uA

18

±0.1

输出低电平电流

IOL

mA

5

0.51

10

1.3

15

3.4

输出高电平电流

IOH

mA

5

-0.51

10

-1.3

15

-3.4

输入逻辑低点平电压

VIL

V

5

1.5

10

3

15

4

输入逻辑高电平电压

VIH

V

5

3.5

10

7

15

11

输出逻辑低点平电压

VOL

V

5

0.05

10

0.05

15

0.05

表2 CMOS集成电路(CC4000系列)的极限参数表

参数名称

符号

极限值

最高直流电源电压

VDD(max)

+18V

最低直流电源电压

VSS(min)

-0.5V

最高输入电压

VI(max)

VDD+0.5V

最低输入电压

VI(min)

-0.5V

最大直流输入电流

II(max)

±10mA

储存温度范围

TS

-65℃~+100℃

工作温度范围

(1)陶瓷扁平封装

TA

-55℃~+100℃

(2)陶瓷双列直插封装

-55℃~+125℃

(3)塑料双列直插封装

-40℃~+85℃

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