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乐华rowa“三星samsung+飞利浦philips”彩电电路改进!

2011-4-14 23:24| 发布者: fengjielin| 查看: 108| 评论: 0

摘要: ★采用该机心的彩电有RD21S、RK21B、R2169S、R2171S等,CPU采用KS88P324N,主板核心电路用单片集成块0M8838PS。 1.场输出电路的作如下改进,可有效地避免了场输出块无规律烧坏现象。 1)在TDA8356⑥脚至③脚间并联一 ...

★采用该机心的彩电有RD21S、RK21B、R2169S、R2171S等,CPU采用KS88P324N,主板核心电路用单片集成块0M8838PS。

1.场输出电路的作如下改进,可有效地避免了场输出块无规律烧坏现象。

1)在TDA8356⑥脚至③脚间并联一只O.1μF/50V的瓷片电容。

2)将+45V电源限流电阻R457由原来的33Ω、1/2W改为100Ω、1W金属氧化膜电阻。

3)电容C456由原来47μF/63V改为1OμF/63V,并紧装于TDA8356⑥至③脚。

4) 在TDA8356⑥脚至地并一只45V、1/2W稳压二极管。

5)在TDA8356⑦脚至地并一只56V、1/2W的快速稳压二极管(B2T03—C56)。

2、遥控电路作如下改进,可有效地避免了“在正常收看中无规律出现自动转台”、“换台后画面飘移不定”、“功能紊乱”及“无规律死机”等故障现象。

1)把键控板上R005由原来27k、1/16W改为30k、1/16W;

2)在CPU键控脚即⑨和10脚各对地并联一只0.0lμF高频瓷片电容。

3)0-30V调谐电压形成电路中R101(12k)和R103(1Ok)由原来的碳膜电阻改为金属膜电阻,C114(0.22μF)薄膜电容改为O. 22μF/45V钽电容;并拆除C603、C625电容。

4)将存储器(24C0 8)由ATMEL产品改为ST公司产品;

5)短路CPU到存储器间总线电阻R602、R603;拆除C332、C333;将R630、R631电阻改为3.3K、1/16W。

6)在存储器供电脚(⑧脚)与接地端并接一只10μF/16V电解电容;


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