1、引言 随着便携式消费电子需求的日益增长，低压、低功耗设计已经成为集成电路设计的研究热点之一。趋势表明[1]，电压的降低给模拟电路设计带来很大挑战。就低压运放设计而言，一般传统采用互补差分对输入级以实现满幅度输入范围，然而，当电源电压低于Vt.NMOS+|Vt.PMOS|+VDS，PMOS-|VDS，PMOS|时，差分对会出现截止区，导致最小电源电压要高于2个阈值电压与2个过饱和电压之和。 0.35μm工艺下Vt，NMOS的典型值为0.52V，Vt，PMOS的典型值为-0.75V，则传统结构的最小工作电压只能在1.4V左右。为了避免采用复杂工艺实现电源电压低于1V的运算放大器而增加产品成本。见文献[2-4]的电路结构采用共模电平偏移的电路结构，箝位共模电平，在标准CMOS工艺下简单地实现了低电压运算放大器。 已有文献[2]采用PMOS差分对来实现电源电压为1V的运算放大器，但由于Vt，PMOS的典型值为-0.75V，使得前置反馈电路的工作电平范围为1-0.15V，几乎涵盖整个共模电平范围，运算放大器的稳定性降低，另外，该结构下的折叠式共源共栅结构也会受体效应的影响，影响增益的恒定性。本文采用NMOS差分对结构，还对前置反馈电平偏移电路进行相应的改进，使电源电压降为0.9V的同时，提高了增益的恒定性。 2、设计的基本思路 基于前置反馈的电平偏移电路的设计如图1，Vi+，Vi-的共模电平Vi，cm低于Vref时，通过反馈电路控制电流源获得适当的电流I，Vin+，Vin-的共模电平Vin，cm提升到Vref，同时电阻传递完整的差模信号，再由Vin+，Vin-连接NMOS差分对来实现整体电路，如图1所示。
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