3."材料"栏
本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性,没有注明材料的均为SI材料,特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
其英文与中文对照如下:
N-FET 硅N沟道场效应晶体管
P-FET 硅P沟道场效应晶体管
GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管
GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管
GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管
SB肖特基势垒栅场效应晶体管
MES 金属半导体场效应晶体管(一般为N沟道,若P沟道则在备注栏中注明)
HEMT 高电子迁移率晶体管
SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管
SIT 静电感应晶体管
IGBT 绝缘栅比极晶体管
ALGaAS 铝家砷
4."外形"栏
根据本栏中所给出的外形图序号,可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式,但不考虑管子尺寸大小。注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形,"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形,"CHIP"的为小型片状,"SMD"或"SO"的为表面封装,"SP"的为特殊外形,"LLCC"为无引线陶瓷片载体,"WAFER"的为裸芯片。
5."用途与特性"栏
本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管,没有注明的即结型场效应晶体管
其余的英文缩写与中文全称对照如下:
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技术特性参数列出极限参和特征参数,其中电压值:结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管(含MES、HEMT)一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压(基极和发射极短路)V(br)ces ;电流值:耗尽型(含结型)为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id,IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic;功率值:一般为漏极耗散功率Pd,高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po,IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc,单位为W或DBM;场效应管高频应用的频率值:一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO;开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds,记为Ron,单位Ω;开关时间:"/"(斜线)前为导通时间Ton , "/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr,和下降时间Tf,IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, "/"后为下降时间TR;低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF(DB)或输入换算噪声电压En(VN)表示;对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG;跨导值:表示放大能力的参数,多为最大跨导GM,单位MS(毫西门子);栅泄漏电流值:表示输入阻抗特怕的能数,记为IGSS,单位NA或PA;夹断电压:表示关断行断特性的参数,记为VP,,单位V。
6," 国内外相似型号"栏
本栏列出特性相似,可供代换的世界各国场效应晶体管型号,含国产场效应晶体管。这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏("型号"栏)的场效应晶体管。这些管子多数可直接代换,但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同,不能直接代换使用,须加以注意。不过,这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。
这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。其中KOMPL(有时排印为KPL.)后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。对组件注有XN中N 为组件中的器件数目。 |